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台积电官宣：正式启动2nm工艺研发

发布于：2019-06-17 作者：haixia002 阅读：104278

　　全球知名半导体公司台积电官宣：正式启动2nm工艺的研发，工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园，预计2024年投入生产。台积电厂务处处长庄子寿表示，台积电在台湾的第一家3nm工厂将于2021年投产，并将于2022年实现大规模生产。

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　　按照台积电给出的指标，2nm工艺是一个重要节点，Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm，Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm，相比于3nm都小了23％。

　　台积电没有透露2nm工艺所需要的技术和材料，看晶体管结构示意图和目前并没有明显变化，能在硅半导体工艺上继续压榨到如此地步真是堪称奇迹，接下来就看能不能做到1nm了。（来源：快科技）

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